standard: AEC-Q100Paměť FRAM FM18W08-SG, Paralelní, 256kbit 32K x 8 bitůů 70ns 2,7 V až 5,5 V, počet kolíků: 28 -40 °C

Paměť F-RAM (Ferothic Random Access Memory) je energeticky úsporná a má nejvyšší spolehlivost netěkavých pamětí RAM pro sériová i paralelní rozhraní. Díly s indexem A jsou určeny pro automobilové aplikace a jsou kvalifikovány pro AEC-Q100.

Energeticky nezávislá paměť RAM
Vysoká rychlost zápisu
Vysoká odolnost
Nízká spotřeba energie

256-Kbit feroelektrická paměť s náhodným přístupem (F-RAM) logicky uspořádaná jako 32 K x 8
Vysoká výdrž 100 bilionů (1014) čtení a zápis
Uchovávání 151 let údajů
Funkce NoDelay™ se zapíše
Advanced high-reliability ferroelectric process
Kompatibilní s pamětí SRAM a EEPROM
Standardně 32 K x 8 SRAM a EEPROM
70-ns přístupová doba, 130-ns doba cyklu
Vynikající k bateriově zálohovaným modulům SRAM
Žádné obavy týkající se akumulátoru
Monolitická spolehlivost
Skutečné řešení pro povrchovou montáž, žádné další kroky
Vynikající pro vlhkost, nárazy a vibrace
Odolné proti podprsenkům se záporným napětím
Nízká spotřeba energie
Aktivní proud 12 mA (max.)
Klidový proud 20 μA (typ)
Provoz při velkém napětí: VDD = 2,7 V až 5,5 V.
Průmyslová teplota: -40 °C až +85 °C.
Sada s 28pinovým integrovaným obvodem (SOIC) pro malé obrysy

Fram (Ferroelektrická RAM)

Fram (Ferroelectric Random Access Memory) je energeticky nezávislá paměť, která využívá feroelektrický film jako kondenzátor pro ukládání dat. F-RAM má vlastnosti zařízení ROM i RAM a je vybavena vysokorychlostním přístupem, vysokou odolností v režimu zápisu, nízkou spotřebou energie, nestabilitou a vynikající odolností proti neoprávněné manipulaci. Je proto ideální pamětí pro použití na čipových kartách, které vyžadují vysoké zabezpečení a nízkou spotřebu energie, ale také na mobilních telefonech a dalších zařízeních.