Infineon FRAM, SPI, 64 kB 8k x 8 bitů 20 ns, počet kolíků: 8 kolíkový -40 °C až 85 °C, DFN
- Skladové číslo RS:
- 125-4221P
- Výrobní číslo:
- FM25CL64B-DG
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 10 jednotky/-ek (dodává se v tubě)*
1 027,05 Kč
(bez DPH)
1 242,73 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 166 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 10 - 48 | 102,705 Kč |
| 50 + | 96,065 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 125-4221P
- Výrobní číslo:
- FM25CL64B-DG
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Velikost paměti | 64kB | |
| Typ produktu | FRAM | |
| Organizace | 8k x 8 bitů | |
| Typ rozhraní | SPI | |
| Šířka datové sběrnice | 8bit | |
| Maximální čas náhodného přístupu | 20ns | |
| Maximální frekvence hodin | 20MHz | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Typ balení | DFN | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Délka | 4.5mm | |
| Výška | 0.75mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 4mm | |
| Maximální provozní teplota | 85°C | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Počet bitů na slovo | 8 | |
| Maximální napájecí napětí | 3.65V | |
| Počet slov | 8K | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Minimální napájecí napětí | 2.7V | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Velikost paměti 64kB | ||
Typ produktu FRAM | ||
Organizace 8k x 8 bitů | ||
Typ rozhraní SPI | ||
Šířka datové sběrnice 8bit | ||
Maximální čas náhodného přístupu 20ns | ||
Maximální frekvence hodin 20MHz | ||
Typ montáže Povrch | ||
Typ balení DFN | ||
Počet kolíků 8 | ||
Délka 4.5mm | ||
Výška 0.75mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 4mm | ||
Maximální provozní teplota 85°C | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Počet bitů na slovo 8 | ||
Maximální napájecí napětí 3.65V | ||
Počet slov 8K | ||
Automobilový standard Ne | ||
Minimální napájecí napětí 2.7V | ||
FRAM, Cypress Semiconductor
Paměť F-RAM (Ferothic Random Access Memory) je energeticky úsporná a má nejvyšší spolehlivost netěkavých pamětí RAM pro sériová i paralelní rozhraní. Díly s indexem A jsou určeny pro automobilové aplikace a jsou kvalifikovány pro AEC-Q100.
Energeticky nezávislá paměť RAM
Vysoká rychlost zápisu
Vysoká odolnost
Nízká spotřeba energie
Fram (Ferroelektrická RAM)
Fram (Ferroelectric Random Access Memory) je energeticky nezávislá paměť, která využívá feroelektrický film jako kondenzátor pro ukládání dat. F-RAM má vlastnosti zařízení ROM i RAM a je vybavena vysokorychlostním přístupem, vysokou odolností v režimu zápisu, nízkou spotřebou energie, nestabilitou a vynikající odolností proti neoprávněné manipulaci. Je proto ideální pamětí pro použití na čipových kartách, které vyžadují vysoké zabezpečení a nízkou spotřebu energie, ale také na mobilních telefonech a dalších zařízeních.