Paměť FRAM FM25V20A-DG, SPI, 2Mbit 256k x 8 bitůů 16ns 2 V až 3,6 V, počet kolíků: 8 -40 °C až +85 °C, DFN

Paměť F-RAM (Ferothic Random Access Memory) je energeticky úsporná a má nejvyšší spolehlivost netěkavých pamětí RAM pro sériová i paralelní rozhraní. Díly s indexem A jsou určeny pro automobilové aplikace a jsou kvalifikovány pro AEC-Q100.

Energeticky nezávislá paměť RAM
Vysoká rychlost zápisu
Vysoká odolnost
Nízká spotřeba energie

Ferroelektrická paměť s náhodným přístupem 2 Mbit (F-RAM) je logicky uspořádána jako 256 K x 8
Vysoká výdrž 100 bilionů (1014) čtení a zápis
151-leté uchovávání dat (viz tabulka uchovávání dat a jejich trvání)
Funkce NoDelay™ se zapíše
Advanced high-reliability ferroelectric process
Velmi rychlý SPI
Frekvence až 40 MHz
Přímá výměna hardwaru pro sériová flash paměť a paměť EEPROM
Podporuje režim SPI 0 (0, 0) a režim 3 (1, 1)
Sofistikované schéma ochrany proti zápisu
Hardwarová ochrana pomocí kolíku Write Protect (WP)
Softwarová ochrana pomocí instrukcí Write Disable (Zakázat zápis)
Ochrana bloku softwaru pro pole 1/4, 1/2 nebo celé
ID zařízení
ID výrobce a ID produktu
Nízká spotřeba energie
Aktivní proud 300 μA při 1 MHz
Proud 100 μA (typ) v pohotovostním režimu
Proud v režimu spánku 3 μA
Nízkonapěťový provoz: VDD = 2,0 V až 3,6 V.
Průmyslová teplota: -40 °C až +85 °C.
Balení
Souprava s 8 vývody pro malý integrovaný obvod (SOIC)
8kolíková duální plochý bez kabelů (DFN)

Fram (Ferroelektrická RAM)

Fram (Ferroelectric Random Access Memory) je energeticky nezávislá paměť, která využívá feroelektrický film jako kondenzátor pro ukládání dat. F-RAM má vlastnosti zařízení ROM i RAM a je vybavena vysokorychlostním přístupem, vysokou odolností v režimu zápisu, nízkou spotřebou energie, nestabilitou a vynikající odolností proti neoprávněné manipulaci. Je proto ideální pamětí pro použití na čipových kartách, které vyžadují vysoké zabezpečení a nízkou spotřebu energie, ale také na mobilních telefonech a dalších zařízeních.