Winbond NAND SLC Paměť Flash, Paralelní, 4 Gb 512M x 8 bitů 25 μs, počet kolíků: 63 kolíkový, VFBGA, 3.6V, 2.7 V

Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Skladové číslo RS:
188-2561
Výrobní číslo:
W29N04GVBIAF
Výrobce:
Winbond
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Winbond

Typ produktu

Paměť Flash

Velikost paměti

4Gb

Typ rozhraní

Paralelní

Typ balení

VFBGA

Počet kolíků

63

Organizace

512M x 8 bitů

Typ montáže

Povrch

Typ článku

NAND SLC

Maximální napájecí napětí

3.6V

Minimální napájecí napětí

2.7V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální provozní teplota

85°C

Délka

11.1mm

Šířka

11.1mm

Výška

0.6mm

Normy/schválení

No

Napájecí proud

35mA

Počet bitů na slovo

8

Řada

W29N04GV

Maximální čas náhodného přístupu

25μs

Automobilový standard

Ne

Počet slov

512M

Hustota: 4 GB (jednočipové řešení)

VCC: 2,7 V až 3,6

Šířka sběrnice: X8

Provozní teplota

Průmyslové použití: -40 °C až 85 °C

Jednoúrovňová technologie (SLC).

Organizace

Hustota: 4G-bit/512 M-bajt

Velikost stránky

2 112 bajtů (2048 + 64 bajtů)

Velikost bloku

64 stran (128 K + 4 K bajtů)

Nejvyšší výkon

Výkon čtení (max.)

Náhodné čtení: 25us

Sekvenční čtení: 25 ns

Výkon při mazání zápisu

Čas programu stránky: 250 us (typ.)

Čas vymazání bloku: 2 ms (typ.)

Výdrž 100 000 výmazů/cykly programů(1)

Uchovávání údajů za 10 let

Sada příkazů

Standardní sada příkazů NAND

Podpora doplňkového povelu

Čtení sekvenční mezipaměti

Náhodné čtení mezipaměti

Program mezipaměti

Kopírovat zpět

Dvouúrovňový provoz

Kontaktujte Winbond pro funkci OTP

Kontaktujte Winbond pro funkci Blokovat zámek

Nejnižší spotřeba energie

Čtení: 25mA (typ.)

Program/Smazat: 25 mA (typ.)

Paměť CMOS, pohotovostní režim: 10uA (typ.)

Prostorově úsporné balení

48kolíková standardní TSOP1

63-ball VFBGA

Flash paměť 4 GB SLC NAND s jednotnou velikostí stránky 2 KB+64B.

Šířka sběrnice: X8

Náhodné čtení: 25us

Doba stránkového programu: 250us(typ.)

Doba mazání bloku: 2 ms (typ.)

Podpora oblasti paměti OTP

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.