řada: CoolMOS C3MOSFET SPW47N60C3FKSA1 N-kanálový 47 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS:: 911-4849
Výrobní číslo:: SPW47N60C3FKSA1
Výrobce:: Infineon

řada: CoolMOS C3MOSFET SPW47N60C3FKSA1 N-kanálový 47 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

540 k dispozici s dodáním do 1 pracovních dnů. Doručení může trvat déle z důvodu celního odbavení.

Standardní dodávka

Přidáno

Cena Kus (v zasuvnem prutu s 30)

283,94 Kč

(bez DPH)

343,57 Kč

(s DPH)

Ks	Per unit	za tubu*
30 - 30	283,94 Kč	8 518,29 Kč
60 - 60	269,75 Kč	8 092,47 Kč
90 +	252,71 Kč	7 581,42 Kč
*orientační cena

Skladové číslo RS:: 911-4849
Výrobní číslo:: SPW47N60C3FKSA1
Výrobce:: Infineon

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Země původu (Country of Origin):: PH

Podrobnosti o výrobku

Infineon CoolMOS™C3 Napájecí MOSFET

Tranzistory MOSFET, Infineon

Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.

Specifikace

Vlastnost	Hodnota
Typ kanálu	N
Maximální stejnosměrný odběrový proud	47 A
Maximální napětí kolektor/zdroj	650 V
Řada	CoolMOS C3
Typ balení	TO-247
Typ montáže	Průchozí otvor
Počet kolíků	3
Maximální odpor kolektor/zdroj	70 mΩ
Režim kanálu	Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody	3.9V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody	2.1V
Maximální ztrátový výkon	415 W
Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-20 V, +20 V
Počet prvků na čip	1
Šířka	5.3mm
Délka	15.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	252 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota	+150 °C
Materiál tranzistoru	Si
Výška	20.95mm
Minimální provozní teplota	-55 °C

Skladové číslo RS:: 911-4849
Výrobní číslo:: SPW47N60C3FKSA1
Výrobce:: Infineon