řada: CoolMOS™ CEMOSFET IPP50R380CEXKSA1 N-kanálový 14,1 A 550 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Nedostupné
Společnost RS již nebude tento výrobek vést skladem.
Skladové číslo RS:
892-2267
Výrobní číslo:
IPP50R380CEXKSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

14,1 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

550 V

Typ balení

TO-220

Series

CoolMOS™ CE

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

380 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

3.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Maximální ztrátový výkon

98 W

Konfigurace tranzistoru

Jednoduchý

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-30 V, +30 V

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Materiál tranzistoru

Si

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

24,8 nC při 10 V

Šířka

4.57mm

Délka

10.36mm

Počet prvků na čip

1

Výška

15.95mm

Minimální provozní teplota

-55 °C

Propustné napětí diody

0.85V

Infineon CoolMOS™ CE Series MOSFET, 14,1A maximální trvalý vypouštěcí proud, 98W maximální ztrátový výkon - IPP50R380CEXKSA1


Tento tranzistor MOSFET je přizpůsoben pro vysokonapěťové aplikace s důrazem na účinnost a spolehlivost. Díky technologii CoolMOS™ zlepšuje spínací výkon a zároveň minimalizuje ztráty, což je výhodné pro různé průmyslové aplikace a výrazně zlepšuje řízení spotřeby energie.

Vlastnosti a výhody


• Nízká hodnota Rds(on) snižuje ztráty při vedení, což přispívá k účinnosti
• Vysoký trvalý vypouštěcí proud vyhovuje náročným aplikacím
• Zjednodušuje integraci do stávajících systémů díky snadné ovladatelnosti
• Flexibilní prahové napětí hradla rozšiřuje kompatibilitu s různými obvody
• Robustní konstrukce obalu zajišťuje odolnost v náročných podmínkách

Aplikace


• Vhodné pro stupně korekce účiníku (PFC)
• Funguje dobře ve fázích PWM s tvrdým přepínáním
• Použití v rezonančním spínání pro LCD a PDP televizory
• Účinné osvětlení pro efektivní řízení spotřeby
• Používá se v napájecích zdrojích pro PC a automatizační systémy

Jaké je optimální napětí na hradle a zdroji pro provoz?


MOSFET funguje efektivně s maximálním napětím na hradle a zdroji ±30 V, což optimalizuje řízení v různých aplikacích.

Jak se tato součástka chová v tepelném prostředí?


S maximálním ztrátovým výkonem 98 W pracuje efektivně při teplotách od -55 °C do +150 °C, takže je vhodný pro celou řadu tepelných podmínek.

Zvládne tato součástka pulzní proudy?


Zvládne pulzní proudy až 32,4 A, a tím kompetentně podporuje přechodové stavy, aniž by došlo ke snížení výkonu.

Jaké výhody přináší technologie superkonjunkce?


Technologie Superjunction snižuje spínací i vodivé ztráty, čímž zvyšuje celkovou účinnost a prodlužuje životnost zařízení v aplikacích.

Související odkazy