MOSFET MDS1525URH N-kanálový 17 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Produkt již není v nabídce

Technické reference

Tyto nízkonapěťové (LV) MOSFET poskytují nízký odpor stavu a vysoký výkon přepínání.

Tranzistory MOSFET, MagnaChip

Vlastnost	Hodnota
Typ kanálu	N
Maximální stejnosměrný odběrový proud	17 A
Maximální napětí kolektor/zdroj	30 V
Typ balení	SOIC
Typ montáže	Povrchová montáž
Počet kolíků	8
Maximální odpor kolektor/zdroj	14,9 mΩ
Režim kanálu	Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody	2.7V
Maximální ztrátový výkon	5,1 W
Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru	Si
Maximální pracovní teplota	+150 °C
Délka	4.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	13 nC při 10 V
Počet prvků na čip	1
Šířka	3.9mm
Minimální provozní teplota	-55 °C
Výška	1.5mm
Propustné napětí diody	1.1V