MOSFET DN3535N8-G N-kanálový 230 mA 350 V, TO-243AA, počet kolíků: 4 Vyčerpání Jednoduchý Si

Skladové číslo RS:: 829-3354P
Výrobní číslo:: DN3535N8-G
Výrobce:: Microchip

MOSFET DN3535N8-G N-kanálový 230 mA 350 V, TO-243AA, počet kolíků: 4 Vyčerpání Jednoduchý Si

Dočasně není skladem, produkt bude expedován dne 4. 6. 2024. Dodání do 4 pracovních dnů. Doručení může trvat déle z důvodu celního odbavení.

Standardní dodávka

Přidáno

Cena Kus (na kotouci) Množství pod 150 ks se dodává na pásce

20,63 Kč

(bez DPH)

24,96 Kč

(s DPH)

Ks	Per unit
10 +	20,63 Kč

Skladové číslo RS:: 829-3354P
Výrobní číslo:: DN3535N8-G
Výrobce:: Microchip

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Tranzistory MOSFET Supertex N-Channel Deployment Mode

Řada Supertex tranzistorů DMOS FET s N-kanálovým deplecí od společnosti Microchip je vhodná pro aplikace vyžadující vysoké napětí při poruše, vysokou vstupní impedanci, nízkou vstupní kapacitu a vysoké rychlosti přepínání.

Charakteristiky

Vysoká vstupní impedance
Nízká vstupní kapacita
Vysoké rychlosti spínání
Nízký odpor při zapnutí
Netrpí sekundárními průrazy
Nízký vstupní a výstupní svodový proud

Typické aplikace

Normálně zapnuté spínače
Polovodičová relé
Převodníky
Lineární zesilovače
Zdroje stejnosměrného proudu s konstantním proudem
Obvody napájecího napětí
Telekomunikace

Tranzistory MOSFET, Microchip

Specifikace

Vlastnost	Hodnota
Typ kanálu	N
Maximální stejnosměrný odběrový proud	230 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj	350 V
Typ balení	TO-243AA
Typ montáže	Povrchová montáž
Počet kolíků	4
Maximální odpor kolektor/zdroj	10 Ω
Režim kanálu	Vyčerpání
Maximální prahové napětí řídicí elektrody	3.5V
Maximální ztrátový výkon	1,6 W
Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-20 V, +20 V
Šířka	2.6mm
Materiál tranzistoru	Si
Počet prvků na čip	1
Maximální pracovní teplota	+150 °C
Délka	4.6mm
Výška	1.6mm
Minimální provozní teplota	-55 °C

Skladové číslo RS:: 829-3354P
Výrobní číslo:: DN3535N8-G
Výrobce:: Microchip