Průmyslový hub
Služby
Novinky
Sledování zásilky
Přihlásit / Zaregistrovat
Přihlášení
/
Zaregistrujte se
a získejte přístup ke svým benefitům
Menu
MPN
Nedávno hledané
Baterie a nabíječky
Displeje a optoelektronika
Konektory
Kontrola ESD, Prototypování PCB v čistých prostorech
Napájecí zdroje a transformátory
Pasivní součásti
Polovodiče
Raspberry Pi, Arduino, ROCK a vývojové nástroje
Automatizace a řídicí zařízení
HVAC, řídicí systémy ventilátorů a teploty
Kabely a vodiče
Osvětlení
Pojistky a jističe
Relé a úprava signálu
Skříně a serverové racky
Spínače
Elektrické nářadí, Pájení a svařování
Instalatérské prvky a potrubí
Lepidla, těsniva a pásky
Ložiska a těsnění
Pneumatika a hydraulika
Přenos mechanického výkonu
Přístup, Skladování a manipulace s materiálem
Ruční nářadí
Technické materiály a průmyslové železářské zboží
Upevňovací a montážní prvky
Bezpečnost na pracovišti
Kancelářské provozní materiály
Osobní ochranné pomůcky a pracovní oděvy
Testování a měření
Výpočetní technika a periferní zařízení
Zabezpečení a železářské zboží
Čištění a údržba zařízení
/
Polovodiče
/
Diskrétní polovodiče
/
MOSFET
řada: TKMOSFET TK46A08N1,S4X(S N-kanálový 46 A 80 V, TO-220SIS, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Skladové číslo RS:
827-6233P
Výrobní číslo:
TK46A08N1,S4X(S
Výrobce:
Toshiba
Všechny produkty z této kategorie
Produkt již není v nabídce
Skladové číslo RS:
827-6233P
Výrobní číslo:
TK46A08N1,S4X(S
Výrobce:
Toshiba
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Specifikace
TK46A08N1, MOSFET Silicon N-channel MOS (U-MOS VIII-H)
ESD Control Selection Guide V1
Vyhovuje směrnici RoHS
Země původu (Country of Origin):
CN
Tranzistory MOSFET, Toshiba
Vlastnost
Hodnota
Typ kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
46 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
80 V
Řada
TK
Typ balení
TO-220SIS
Typ montáže
Průchozí otvor
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
8.4 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
35 W
Konfigurace tranzistoru
Jednoduchý
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Šířka
4.5mm
Počet prvků na čip
1
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
37 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Délka
10mm
Materiál tranzistoru
Si
Výška
15mm