MOSFET SI7149ADP-T1-GE3 P-kanálový 18 A 30 V, PowerPAK SO-8, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
- Skladové číslo RS:
- 818-1393
- Výrobní číslo:
- SI7149ADP-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
80 k dispozici s dodáním do 1 pracovních dnů. Doručení může trvat déle z důvodu celního odbavení.
Standardní dodávka
Přidáno
Cena Kus (v jednotce baleni à 20)
20,02 Kč
(bez DPH)
24,22 Kč
(s DPH)
| Ks | Per unit | za balení* |
| 20 - 180 | 20,02 Kč | 400,40 Kč |
| 200 - 480 | 19,02 Kč | 380,38 Kč |
| 500 - 980 | 16,02 Kč | 320,36 Kč |
| 1000 - 1980 | 15,02 Kč | 300,36 Kč |
| 2000 + | 14,02 Kč | 280,36 Kč |
| *orientační cena | ||
- Skladové číslo RS:
- 818-1393
- Výrobní číslo:
- SI7149ADP-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor
Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor
Specifikace
Vlastnost | Hodnota |
|---|---|
| Typ kanálu | P |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 18 A |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 30 V |
| Typ balení | PowerPAK SO-8 |
| Typ montáže | Povrchová montáž |
| Počet kolíků | 8 |
| Maximální odpor kolektor/zdroj | 9,5 mΩ |
| Režim kanálu | Vylepšení |
| Minimální prahové napětí řídicí elektrody | 1.2V |
| Maximální ztrátový výkon | 48 W |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý |
| Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -25 V, +25 V |
| Materiál tranzistoru | Si |
| Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs | 90 nC při 10 V |
| Šířka | 5mm |
| Počet prvků na čip | 1 |
| Maximální pracovní teplota | +150 °C |
| Délka | 5.99mm |
| Minimální provozní teplota | -55 °C |
| Výška | 1.07mm |
- Skladové číslo RS:
- 818-1393
- Výrobní číslo:
- SI7149ADP-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay