MOSFET NX1029X,115 N/P-kanálový-kanálový 170 mA, 330 mA 50 V, 60 V, SOT-666, počet kolíků: 6 dvojitý Izolovaný Si

Produkt již není v nabídce

Vlastnost	Hodnota
Typ kanálu	N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud	170 mA, 330 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj	50 V, 60 V
Typ balení	SOT-666
Typ montáže	Povrchová montáž
Počet kolíků	6
Maximální odpor kolektor/zdroj	3.6 Ω, 13.5 Ω
Režim kanálu	Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody	2.1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody	1.1V
Maximální ztrátový výkon	500 mW
Konfigurace tranzistoru	Izolovaný
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-20 V, +20 V
Počet prvků na čip	2
Materiál tranzistoru	Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	0,26 nC při 5 V, 0,5 nC při 4,5 V
Šířka	1.3mm
Délka	1.7mm
Maximální pracovní teplota	+150 °C
Minimální provozní teplota	-55 °C
Výška	0.6mm