MOSFET SIS415DNT-T1-GE3 P-kanálový 22 A 20 V, PowerPAK 1212-8, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Cena Kus (na kotouci) Množství pod 150 ks se dodává na pásce

12,70 Kč

(bez DPH)

15,36 Kč

(s DPH)

2880 k dispozici s dodáním do 4 pracovních dnů. Doručení může trvat déle z důvodu celního odbavení.*

*Dodací lhůty se mohou měnit v závislosti na množství a dodací adrese.

Standardní dodávka

Ks	za jednotku
20 +	12,70 Kč

Vlastnost	Hodnota
Typ kanálu	P
Maximální stejnosměrný odběrový proud	22 A
Maximální napětí kolektor/zdroj	20 V
Typ balení	PowerPAK 1212-8
Typ montáže	Povrchová montáž
Počet kolíků	8
Maximální odpor kolektor/zdroj	9,5 mΩ
Režim kanálu	Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody	0.4V
Maximální ztrátový výkon	52 W
Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-12 V, +12 V
Počet prvků na čip	1
Šířka	3.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	117 nC při 10 V
Délka	3.4mm
Maximální pracovní teplota	+150 °C
Materiál tranzistoru	Si
Výška	0.8mm
Minimální provozní teplota	-55 °C