MOSFET NDFPD1N150CG N-kanálový 200 mA 1500 V, TO-220F, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
44 k dispozici s dodáním následující pracovní den, pokud objednávku uskutečníte do 16:00.
s dodáním do 3 pracovních dnů
Cena Kus (v jednotce baleni à 2)
38,88 Kč
(bez DPH)
47,04 Kč
(s DPH)
| ks | Per unit | za balení* |
| 2 - 8 | 38,88 Kč | 77,76 Kč |
| 10 - 98 | 33,31 Kč | 66,62 Kč |
| 100 - 248 | 26,28 Kč | 52,55 Kč |
| 250 - 498 | 23,09 Kč | 46,18 Kč |
| 500 + | 22,30 Kč | 44,59 Kč |
| *orientační cena | ||
Přidáno
- Skladové číslo RS:
- 801-6794
- Výrobní číslo:
- NDFPD1N150CG
- Výrobce:
- ON Semiconductor
N-kanálový výkonový MOSFET, 100 V až 700 V, on Semiconductor
| Vlastnost | Hodnota |
| Typ kanálu | N |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 200 mA |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 1500 V |
| Typ balení | TO-220F |
| Typ montáže | Průchozí otvor |
| Počet kolíků | 3 |
| Maximální odpor kolektor/zdroj | 150 Ω |
| Režim kanálu | Vylepšení |
| Maximální prahové napětí řídicí elektrody | 4V |
| Maximální ztrátový výkon | 20 W |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý |
| Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -30 V, +30 V |
| Počet prvků na čip | 1 |
| Maximální pracovní teplota | +150 °C |
| Šířka | 10.16mm |
| Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs | 4,2 nC při 10 V |
| Materiál tranzistoru | Si |
| Délka | 28.85mm |
| Výška | 4.7mm |