Podpora
Služby
Novinky
Sledování zásilky
Přihlásit / Zaregistrovat
Přihlášení
/
Zaregistrujte se
a získejte přístup ke svým benefitům
Menu
MPN
Nedávno hledané
Baterie a nabíječky
Displeje a optoelektronika
Konektory
Kontrola ESD, Prototypování PCB v čistých prostorech
Napájecí zdroje a transformátory
Pasivní součásti
Polovodiče
Raspberry Pi, Arduino, ROCK a vývojové nástroje
Automatizace a řídicí zařízení
HVAC, řídicí systémy ventilátorů a teploty
Kabely a vodiče
Osvětlení
Pojistky a jističe
Relé a úprava signálu
Skříně a serverové racky
Spínače
Elektrické nářadí, Pájení a svařování
Instalatérské prvky a potrubí
Lepidla, těsniva a pásky
Ložiska a těsnění
Pneumatika a hydraulika
Přenos mechanického výkonu
Přístup, Skladování a manipulace s materiálem
Ruční nářadí
Technické materiály a průmyslové železářské zboží
Upevňovací a montážní prvky
Bezpečnost na pracovišti
Kancelářské provozní materiály
Osobní ochranné pomůcky a pracovní oděvy
Testování a měření
Výpočetní technika a periferní zařízení
Zabezpečení a železářské zboží
Čištění a údržba zařízení
Polovodiče
Diskrétní polovodiče
MOSFET
řada: TPCMOSFET TPC8227-H,LQ(S N-kanálový 5,1 A 40 V, SOP, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si
Skladové číslo RS:
796-5128P
Výrobní číslo:
TPC8227-H,LQ(S
Výrobce:
Toshiba
Všechny produkty z této kategorie
Produkt již není v nabídce
Skladové číslo RS:
796-5128P
Výrobní číslo:
TPC8227-H,LQ(S
Výrobce:
Toshiba
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Specifikace
TPC8227-H, Silicon N-Channel MOSFET (U-MOSVI-H) Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1
Vyhovuje směrnici RoHS
Duální MOSFET N-Channel, řada TPC, Toshiba
Tranzistory MOSFET, Toshiba
Vlastnost
Hodnota
Typ kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5,1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Typ balení
SOP
Řada
TPC
Typ montáže
Povrchová montáž
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
40 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.3V
Maximální ztrátový výkon
1,5 W
Konfigurace tranzistoru
Izolovaný
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Šířka
3.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10 nC při 10 V
Délka
4.9mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Počet prvků na čip
2
Výška
1.52mm