řada: STripFET H7 MOSFET Typ N-kanálový 80 A 100 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 786-3592P
- Výrobní číslo:
- STD100N10F7
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Mezisoučet 5 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
222,90 Kč
(bez DPH)
269,70 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 200 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 5 + | 44,58 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 786-3592P
- Výrobní číslo:
- STD100N10F7
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 80A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | STripFET H7 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 8mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 61nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 120W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 6.6mm | |
| Výška | 2.4mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 80A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada STripFET H7 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 8mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 61nC | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 120W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 6.6mm | ||
Výška 2.4mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-Channel STAFET™ řady H7, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.