MOSFET NTHS4101PT1G P-kanálový 6,7 A 20 V, Čip FET, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Využijte množstevní slevu

Cena Kus (na kotouci) Množství pod 150 ks se dodává na pásce

12,47 Kč

(bez DPH)

15,09 Kč

(s DPH)

2950 k dispozici s dodáním do 4 pracovních dnů. Doručení může trvat déle z důvodu celního odbavení.*

*Dodací lhůty se mohou měnit v závislosti na množství a dodací adrese.

Standardní dodávka

Vlastnost	Hodnota
Typ kanálu	P
Maximální stejnosměrný odběrový proud	6,7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj	20 V
Typ balení	Čip FET
Typ montáže	Povrchová montáž
Počet kolíků	8
Maximální odpor kolektor/zdroj	52 mΩ
Režim kanálu	Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody	1.5V
Maximální ztrátový výkon	2.5 W
Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-8 V, +8 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	25 nC při 4,5 V DC
Délka	3.1mm
Maximální pracovní teplota	+150 °C
Počet prvků na čip	1
Materiál tranzistoru	Si
Šířka	1.7mm
Minimální provozní teplota	-55 °C
Výška	1.1mm