řada: OptiMOS™ 3MOSFET IPB200N15N3GATMA1 N-kanálový 50 A 150 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Cena Kus (na kotouci)**. Množství pod 150 ks se dodává na pásce

54,59 Kč

(bez DPH)

66,05 Kč

(s DPH)

21046 k dispozici s dodáním do 4 pracovních dnů. Doručení může trvat déle z důvodu celního odbavení.*

*Dodací lhůty se mohou měnit v závislosti na množství a dodací adrese.

Standardní dodávka

Ks	za jednotku
2 +	54,59 Kč

**orientační cena

Vlastnost	Hodnota
Typ kanálu	N
Maximální stejnosměrný odběrový proud	50 A
Maximální napětí kolektor/zdroj	150 V
Typ balení	D2PAK (TO-263)
Řada	OptiMOS™ 3
Typ montáže	Povrchová montáž
Počet kolíků	3
Maximální odpor kolektor/zdroj	20 mΩ
Režim kanálu	Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody	4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody	2V
Maximální ztrátový výkon	150 W
Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-20 V, +20 V
Počet prvků na čip	1
Materiál tranzistoru	Si
Šířka	9.45mm
Délka	10.31mm
Maximální pracovní teplota	+175 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	23 nC při 10 V
Minimální provozní teplota	-55 °C
Výška	4.57mm