Průmyslový hub
Služby
Novinky
Sledování zásilky
Přihlásit / Zaregistrovat
Přihlášení
/
Zaregistrujte se
a získejte přístup ke svým benefitům
Menu
MPN
Nedávno hledané
Baterie a nabíječky
Displeje a optoelektronika
Konektory
Kontrola ESD, Prototypování PCB v čistých prostorech
Napájecí zdroje a transformátory
Pasivní součásti
Polovodiče
Raspberry Pi, Arduino, ROCK a vývojové nástroje
Automatizace a řídicí zařízení
HVAC, řídicí systémy ventilátorů a teploty
Kabely a vodiče
Osvětlení
Pojistky a jističe
Relé a úprava signálu
Skříně a serverové racky
Spínače
Elektrické nářadí, Pájení a svařování
Instalatérské prvky a potrubí
Lepidla, těsniva a pásky
Ložiska a těsnění
Pneumatika a hydraulika
Přenos mechanického výkonu
Přístup, Skladování a manipulace s materiálem
Ruční nářadí
Technické materiály a průmyslové železářské zboží
Upevňovací a montážní prvky
Bezpečnost na pracovišti
Kancelářské provozní materiály
Osobní ochranné pomůcky a pracovní oděvy
Testování a měření
Výpočetní technika a periferní zařízení
Zabezpečení a železářské zboží
Čištění a údržba zařízení
/
Polovodiče
/
Diskrétní polovodiče
/
MOSFET
řada: TetraFETMOSFET D1011UK N-kanálový 5 A 70 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Skladové číslo RS:
738-7660P
Výrobní číslo:
D1011UK
Výrobce:
Semelab
Všechny produkty z této kategorie
Produkt již není v nabídce
Skladové číslo RS:
738-7660P
Výrobní číslo:
D1011UK
Výrobce:
Semelab
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Specifikace
RF MOSFET 10W 28V 500MHz SingleEnded SO8
ESD Control Selection Guide V1
Vyhovuje směrnici RoHS
Země původu (Country of Origin):
GB
Tranzistory MOSFET RF, Semelab
Tranzistory MOSFET, Semelab
Vlastnost
Hodnota
Typ kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
70 V
Typ balení
SOIC
Řada
TetraFET
Typ montáže
Povrchová montáž
Počet kolíků
8
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
7V
Maximální ztrátový výkon
30 W
Konfigurace tranzistoru
Jednoduchý
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Maximální pracovní teplota
+200 °C
Počet prvků na čip
1
Šířka
5.08mm
Délka
4.06mm
Materiál tranzistoru
Si
Výška
2.18mm