Průmyslový hub
Služby
Novinky
Sledování zásilky
Přihlásit / Zaregistrovat
Přihlášení
/
Zaregistrujte se
a získejte přístup ke svým benefitům
Menu
MPN
Nedávno hledané
Baterie a nabíječky
Displeje a optoelektronika
Konektory
Kontrola ESD, Prototypování PCB v čistých prostorech
Napájecí zdroje a transformátory
Pasivní součásti
Polovodiče
Raspberry Pi, Arduino, ROCK a vývojové nástroje
Automatizace a řídicí zařízení
HVAC, řídicí systémy ventilátorů a teploty
Kabely a vodiče
Osvětlení
Pojistky a jističe
Relé a úprava signálu
Skříně a serverové racky
Spínače
Elektrické nářadí, Pájení a svařování
Instalatérské prvky a potrubí
Lepidla, těsniva a pásky
Ložiska a těsnění
Pneumatika a hydraulika
Přenos mechanického výkonu
Přístup, Skladování a manipulace s materiálem
Ruční nářadí
Technické materiály a průmyslové železářské zboží
Upevňovací a montážní prvky
Bezpečnost na pracovišti
Kancelářské provozní materiály
Osobní ochranné pomůcky a pracovní oděvy
Testování a měření
Výpočetní technika a periferní zařízení
Zabezpečení a železářské zboží
Čištění a údržba zařízení
Polovodiče
Diskrétní polovodiče
MOSFET
řada: FKMOSFET FK3303010L N-kanálový 100 mA 30 V, SSSMini3 F2 B, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Skladové číslo RS:
719-3193P
Výrobní číslo:
FK3303010L
Výrobce:
Panasonic
Všechny produkty z této kategorie
Produkt již není v nabídce
Skladové číslo RS:
719-3193P
Výrobní číslo:
FK3303010L
Výrobce:
Panasonic
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Specifikace
FK330301 Silicon N-channel MOS FET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1
Vyhovuje směrnici RoHS
Země původu (Country of Origin):
CN
N-Channel MOSFET, Panasonic
Tranzistory MOSFET, Panasonic
Vlastnost
Hodnota
Typ kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
FK
Typ balení
SSSMini3 F2 B
Typ montáže
Povrchová montáž
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
6 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
100 mW
Konfigurace tranzistoru
Jednoduchý
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Šířka
0.8mm
Počet prvků na čip
1
Délka
1.2mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Výška
0.47mm