řada: TrenchFET MOSFET SI4559ADY-T1-GE3 Typ P, Typ N-kanálový 5.3 A 60 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- Skladové číslo RS:
- 710-3345
- Výrobní číslo:
- SI4559ADY-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
280,10 Kč
(bez DPH)
338,90 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Výroba končí
- 40 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Konečné odeslání 3 345 jednotky (jednotek) od 03. června 2026
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 56,02 Kč | 280,10 Kč |
| 50 - 120 | 47,522 Kč | 237,61 Kč |
| 125 - 245 | 44,856 Kč | 224,28 Kč |
| 250 - 495 | 42,088 Kč | 210,44 Kč |
| 500 + | 39,174 Kč | 195,87 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 710-3345
- Výrobní číslo:
- SI4559ADY-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | Typ P, Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 5.3A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | SOIC | |
| Řada | TrenchFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 72mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 3.4W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 13nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Izolovaný | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 1.5mm | |
| Délka | 5mm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu Typ P, Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 5.3A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení SOIC | ||
Řada TrenchFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 72mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 3.4W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 13nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Konfigurace tranzistoru Izolovaný | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 1.5mm | ||
Délka 5mm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Duální N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor
Související odkazy
- řada: TrenchFET MOSFET SI4559ADY-T1-E3 Typ P SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vishay Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI9945BDY-T1-GE3 Typ N-kanálový 5.3 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay Vylepšení 2
- řada: TrenchFET MOSFET Typ P SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vishay Vylepšení 2 Izolovaný
- řada: TrenchFET MOSFET Typ P SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vishay Vylepšení 2 Duální
- řada: TrenchFET MOSFET SI3585CDV-T1-GE3 Typ N TSOP, počet kolíků: 6 kolíkový Vishay
- řada: TrenchFET MOSFET SI3421DV-T1-GE3 Typ P-kanálový 8 A 30 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SISS27DN-T1-GE3 Typ P-kanálový 23 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET Výkonový MOSFET SI5935CDC-T1-GE3 Typ P-kanálový 3.8 A 20 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay