řada: STripFET Výkonový MOSFET STS4DNF60L N-kanálový 4 A 60 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový STMicroelectronics
- Skladové číslo RS:
- 485-8358P
- Výrobní číslo:
- STS4DNF60L
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 50 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
2 606,10 Kč
(bez DPH)
3 153,40 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 11 025 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 50 - 120 | 52,122 Kč |
| 125 + | 40,876 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 485-8358P
- Výrobní číslo:
- STS4DNF60L
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | SOIC | |
| Řada | STripFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 55mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -15V, +15V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 15nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2W | |
| Maximální provozní teplota | +150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Izolovaný | |
| Výška | 1.25mm | |
| Šířka | 4mm | |
| Délka | 5mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení SOIC | ||
Řada STripFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 55mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -15V, +15V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 15nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2W | ||
Maximální provozní teplota +150°C | ||
Konfigurace tranzistoru Izolovaný | ||
Výška 1.25mm | ||
Šířka 4mm | ||
Délka 5mm | ||
Normy/schválení No | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-Channel STAripFET™ Dual MOSFET, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.