řada: STW65N MOSFET STW65N045M9-4 N-kanálový 54 A 650 V STMicroelectronics, TO-247-4, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 287-7055P
- Výrobní číslo:
- STW65N045M9-4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (10 jednotky/-ek, dodává se v tubě)*
1 632,70 Kč
(bez DPH)
1 975,60 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 300 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 10 - 119 | 163,27 Kč |
| 120 - 509 | 161,29 Kč |
| 510 - 1019 | 159,07 Kč |
| 1020 + | 157,34 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 287-7055P
- Výrobní číslo:
- STW65N045M9-4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 54A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Řada | STW65N | |
| Typ balení | TO-247-4 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 45mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 8nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 312W | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 54A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Řada STW65N | ||
Typ balení TO-247-4 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 45mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 8nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 312W | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Výkonový tranzistor MOSFET společnosti STMicroelectronics je založen na nejinovativnější technologii superjunction MDmesh M9. Křemíková technologie M9 využívá výrobní proces s více odtoky, který umožňuje vylepšenou strukturu zařízení. Výsledný produkt má jeden z nejnižších zapínacích odporů a snížených hodnot náboje hradla mezi všemi rychle spínanými výkonovými tranzistory MOSFET na bázi křemíku, takže je vhodný zejména pro aplikace, které vyžadují vynikající hustotu výkonu a mimořádnou účinnost.
Vyšší schopnost dv/dt
Vynikající spínací výkon
Snadné řízení
100 % lavinově testováno