řada: STP MOSFET STP80N900K6 Typ N-kanálový 6 A 800 V STMicroelectronics, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 285-5915P
- Výrobní číslo:
- STP80N900K6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 5 jednotky/-ek (dodává se v tubě)*
117,35 Kč
(bez DPH)
142,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 60 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 5 - 9 | 23,47 Kč |
| 10 - 24 | 22,72 Kč |
| 25 + | 22,48 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 285-5915P
- Výrobní číslo:
- STP80N900K6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 6A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 800V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | STP | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 900mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 68W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 7nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Výška | 4.6mm | |
| Délka | 28.9mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 800V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada STP | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 900mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 68W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 7nC | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Výška 4.6mm | ||
Délka 28.9mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Velmi vysokonapěťový N-kanálový výkonový tranzistor MOSFET společnosti STMicroelectronics je navržen s využitím špičkové technologie MDmesh K6, která vychází z 20 let zkušeností společnosti STMicroelectronics s technologií superjunction. Výsledkem je nejlepší odpor při zapnutí na plochu a náboj hradla pro aplikace vyžadující vynikající hustotu výkonu a vysokou účinnost.
Celosvětově nejlepší RDS(on) x plocha
Celosvětově nejlepší FOM (figure of merit)
Ultra nízký náboj hradla
100% lavinově testováno
Zenerova ochrana