MOSFET DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 50 A 2000 V Infineon, AG-EASY3B

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

6 058,17 Kč

(bez DPH)

7 330,39 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 8 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 - 16 058,17 Kč
2 - 25 755,10 Kč
3 +5 513,04 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
260-1093
Výrobní číslo:
DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

50A

Maximální napětí na zdroji Vds

2000V

Typ balení

AG-EASY3B

Typ montáže

Povrch

Maximální odpor zdroje Rds

26.5mΩ

Přímé napětí Vf

6.15V

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Infineon MOSFET má konfiguraci 4 nožek v jednom pouzdru Easy 3B a je dodáván s nejnovější generací CoolSiC M1H. 2000V SiC MOSFET sdílí stejný výkon a výhody jako 1200V řady M1H včetně O 12 % nižší RDS(on) při teplotě 125 °C, širší oblast napětí zdroje hradla pro vyšší flexibilitu, maximální teplota spojení 175 °C a menší velikost čipu.

Vysoká hustota proudu

Nízkoinduktivní konstrukce

Robustní montáž díky integrovaným montážním svorkám

Související odkazy