řada: IPW MOSFET Typ N-kanálový 50 A 650 V Infineon, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

3 239,64 Kč

(bez DPH)

3 919,95 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 60 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
30 - 30107,988 Kč3 239,64 Kč
60 - 60102,596 Kč3 077,88 Kč
90 +98,265 Kč2 947,95 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
258-3914
Výrobní číslo:
IPW65R041CFD7XKSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

50A

Maximální napětí na zdroji Vds

650V

Řada

IPW

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

41mΩ

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

30 V

Přímé napětí Vf

1V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

102nC

Maximální ztrátový výkon Pd

227W

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

Ne

Pouzdro Infineon 650V CoolMOS CFD7 Super Junction MOSFET TO-247 je ideální pro rezonanční topologie v průmyslových aplikacích, jako jsou serverové, telekomunikační, solární a elektrické nabíjecí stanice, kde umožňuje výrazné zlepšení účinnosti oproti konkurenci. Jako nástupce řady CFD2 SJ MOSFET se dodává se sníženým nábojem hradla, vylepšeným chováním při vypnutí a sníženým nábojem zpětného zotavení, což umožňuje nejvyšší účinnost a hustotu výkonu, stejně jako dodatečné přerušovací napětí 50 V.

Mimořádně rychlá dioda těla a velmi nízká hodnota Qrr

Přerušovací napětí 650 V

Výrazně snížené spínací ztráty ve srovnání s konkurencí

Vynikající odolnost při komutaci

Zvýšená bezpečnostní rezerva pro konstrukce se zvýšeným napětím sběrnice

Umožňuje vyšší hustotu výkonu

Související odkazy