řada: IPP MOSFET IPP65R095C7XKSA1 Typ N-kanálový 24 A 650 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 258-3899
- Výrobní číslo:
- IPP65R095C7XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 jednotka)*
60,52 Kč
(bez DPH)
73,23 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- Plus 2 020 jednotka(y) budou odesílané od 06. března 2026
- Plus 500 jednotka(y) budou odesílané od 16. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 60,52 Kč |
| 10 - 24 | 59,03 Kč |
| 25 - 49 | 57,30 Kč |
| 50 - 99 | 55,82 Kč |
| 100 + | 54,59 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 258-3899
- Výrobní číslo:
- IPP65R095C7XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 24A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | IPP | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 95mΩ | |
| Přímé napětí Vf | 0.9V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30 V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 45nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 128W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 24A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada IPP | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 95mΩ | ||
Přímé napětí Vf 0.9V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30 V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 45nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 128W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon CoolMOS je revoluční technologie pro vysokonapěťové výkonové tranzistory MOSFET, navržené podle principu super-spojky a vyvinuté společností Infineon Technologies. Řada CoolMOS C7 kombinuje zkušenosti předního dodavatele MOSFETů SJ se špičkovými inovacemi. Portfolio produktů nabízí veškeré výhody MOSFET Super Junction Offset Switching, které nabízejí vyšší účinnost, nižší náboj hradla, snadnou implementaci a vynikající spolehlivost.
Nižší nabíjení hradla Qg
Úspora místa díky použití menších pouzder nebo snížení počtu dílů
Nejnižší ztráty vodivosti / pouzdro
Nízké spínací ztráty
Lepší účinnost při lehkém zatížení
Související odkazy
- řada: IPP MOSFET Typ N-kanálový 24 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: IPP MOSFET Typ N-kanálový 50 A 650 V Infineon, TO-220
- řada: IPP MOSFET IPP65R041CFD7XKSA1 Typ N-kanálový 50 A 650 V Infineon, TO-220
- řada: IPP MOSFET Typ N-kanálový 84 A Infineon, TO-220
- řada: IPP MOSFET IPP120N20NFDAKSA1 Typ N-kanálový 84 A Infineon, TO-220
- řada: IPP MOSFET Typ N-kanálový 198 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: IPP MOSFET Typ N-kanálový 20 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: IPP MOSFET Typ N-kanálový 185 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový