řada: IPP MOSFET IPP65R095C7XKSA1 N-kanálový 24 A 650 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 258-3899
- Výrobní číslo:
- IPP65R095C7XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 10 kusů a ušetřete 39,50 Kč
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
152,40 Kč
(bez DPH)
184,40 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 79 jednotka(y) budou odesílané od 09. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | Úspora |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 152,40 Kč | - |
| 10 - 24 | 148,45 Kč | 39,50 Kč |
| 25 - 49 | 144,25 Kč | 203,75 Kč |
| 50 - 99 | 140,30 Kč | 605,00 Kč |
| 100 + | 137,58 Kč | 1 482,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 258-3899
- Výrobní číslo:
- IPP65R095C7XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 24A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | IPP | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 95mΩ | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 900mV | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 45nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 128W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 24A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada IPP | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 95mΩ | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 900mV | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 45nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 128W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon CoolMOS je revoluční technologie pro vysokonapěťové výkonové tranzistory MOSFET, navržené podle principu super-spojky a vyvinuté společností Infineon Technologies. Řada CoolMOS C7 kombinuje zkušenosti předního dodavatele MOSFETů SJ se špičkovými inovacemi. Portfolio produktů nabízí veškeré výhody MOSFET Super Junction Offset Switching, které nabízejí vyšší účinnost, nižší náboj hradla, snadnou implementaci a vynikající spolehlivost.
Nižší nabíjení hradla Qg
Úspora místa díky použití menších pouzder nebo snížení počtu dílů
Nejnižší ztráty vodivosti / pouzdro
Nízké spínací ztráty
Lepší účinnost při lehkém zatížení
Související odkazy
- řada: IPP MOSFET N-kanálový 24 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: IPP MOSFET N-kanálový 50 A 650 V Infineon, TO-220
- řada: IPP MOSFET IPP65R041CFD7XKSA1 N-kanálový 50 A 650 V Infineon, TO-220
- řada: IPP MOSFET 18 A Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: IPP MOSFET IPP65R125C7XKSA1 18 A Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: IPP MOSFET N-kanálový 84 A Infineon, TO-220
- řada: IPP MOSFET N-kanálový 109 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: IPP MOSFET N-kanálový 13 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový