řada: iPB MOSFET IPB020N10N5LFATMA1 Typ N-kanálový 120 A 100 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový N
- Skladové číslo RS:
- 258-3786
- Výrobní číslo:
- IPB020N10N5LFATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 jednotka)*
133,63 Kč
(bez DPH)
161,69 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- Plus 1 525 jednotka(y) budou odesílané od 03. února 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 133,63 Kč |
| 10 - 24 | 127,21 Kč |
| 25 - 49 | 121,77 Kč |
| 50 - 99 | 116,09 Kč |
| 100 + | 108,43 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 258-3786
- Výrobní číslo:
- IPB020N10N5LFATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 120A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | iPB | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2mΩ | |
| Režim kanálu | N | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 313W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 195nC | |
| Přímé napětí Vf | 0.89V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 120A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada iPB | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2mΩ | ||
Režim kanálu N | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 313W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 195nC | ||
Přímé napětí Vf 0.89V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Automobilový standard Ne | ||
Lineární tranzistor FET OptiMOS od společnosti Infineon je revoluční přístup k vyloučení kompromisu mezi odporem v zapnutém stavu a funkcí lineárního režimu v oblasti nasycení zesíleného režimu MOSFET. Nabízí nejmodernější funkci R DS(on) tranzistoru MOSFET s drážkou spolu se širokou bezpečnou provozní oblastí klasického planárního tranzistoru MOSFET.
Vysoká max. pulzní proud
Vysoký nepřetržitý impulzní proud
Robustní provoz v lineárním režimu
Nízké vodivé ztráty