AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 36.2 A 60 V Vishay, PowerPAK 1212-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vyčerpání

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*

19 848,00 Kč

(bez DPH)

24 015,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 6 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
3000 +6,616 Kč19 848,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
252-0288
Výrobní číslo:
SIS4608LDN-T1-GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

36.2A

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Typ balení

PowerPAK 1212-8

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

0.01mΩ

Režim kanálu

Vyčerpání

Přímé napětí Vf

1.1V

Maximální ztrátový výkon Pd

33.7W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20 V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

14.5nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Délka

3.3mm

Normy/schválení

No

Šířka

3.3 mm

Automobilový standard

AEC-Q101

Řada produktů Vishay Siliconix MOSFET zahrnuje širokou škálu pokročilých technologií. MOSFET jsou tranzistorová zařízení, která jsou řízena kondenzátorem. Efekt pole znamená, že jsou řízeny napětím. N-kanálové tranzistory MOSFET obsahují další elektrony, které se mohou volně pohybovat. Jedná se o oblíbenější typ kanálu. N-kanálové tranzistory MOSFET fungují, když je na svorku hradla aplikován kladný náboj.

Výkonový tranzistor MOSFET TrenchFET Gen V s velmi nízkou hodnotou RDS – Qg (FOM) Nastavený na nejnižší hodnotu RDS – Qoss FOM 100 % Rg a testován podle normy UIS

Související odkazy