MOSFET IMW120R007M1HXKSA1 N-kanálový 225 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3

Infineon CoolSiC 1200 v, 7 mΩ SIC MOSFET v pouzdru TO247-3 staví na stavu procesu ART Trench polovodičů optimalizovaného pro kombinaci výkonu se spolehlivostí, to zahrnuje nejnižší úroveň nabití hradla a kapacity zařízení vidět ve spínačích 1200 v, Žádné ztráty zpětné obnovy interní diody odolné vůči komutaci, nízkoztrátové spínání nezávislé na teplotě a bezprahové charakteristiky a tranzistory MOSFET CoolSiC jsou ideální pro pevné a rezonanční spínací topologie, jako jsou obvody korekce účiníku (PFC), obousměrné topologie a měniče DC-DC nebo měniče DC-AC.

VDSS - 1200 V PŘI T - 25 °C.
IDCC - 225 A PŘI T - 25 °C.
RDS(ON) - 7 mohm při VGS - 18 v, T - 25 °C.
Velmi nízké ztráty při spínání
Referenční prahové napětí hradla, VGS(th) - 4.2 V.
Robustní proti nežádoucího zapnutí, 0 v vypnout hradlo napětí lze použít
Robustní tělní dioda pro tvrdou komutaci
Technologie XT pro nejlepší tepelný výkon ve své třídě