řada: VP0106MOSFET VP0106N3-G P-kanálový 250 mA 60 V, TO-92, počet kolíků: 3
- Skladové číslo RS:
- 236-8961
- Výrobní číslo:
- VP0106N3-G
- Výrobce:
- Microchip
Dočasně není skladem, produkt bude expedován dne 11. 6. 2024. Dodání do 4 pracovních dnů. Doručení může trvat déle z důvodu celního odbavení.
Standardní dodávka
Přidáno
Cena Kus (v sacku s 1000)
18,34 Kč
(bez DPH)
22,19 Kč
(s DPH)
| Ks | Per unit | Za Sáček* |
| 1000 + | 18,34 Kč | 18 337,00 Kč |
| *orientační cena | ||
- Skladové číslo RS:
- 236-8961
- Výrobní číslo:
- VP0106N3-G
- Výrobce:
- Microchip
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor s režimem vylepšení Microchip obvykle využívá vertikální strukturu DMOS a osvědčený výrobní proces Supertex s křemíkovými hradly. Díky této kombinaci vzniklo zařízení, které vykazuje schopnost zvládat napájení jako bipolární tranzistory, a s vysokou vstupní impedancí a kladným teplotním koeficientem, které jsou vlastní zařízením MOS. Toto zařízení netrpí tepelným lavinovým jevem a sekundárními průrazy vyvolanými teplotou, což je charakteristické pro všechny struktury MOS. Vertikální digitální multimetry jsou ideální pro širokou škálu spínacích a zesilovacích aplikací, kde je požadováno velmi nízké prahové napětí, vysoké poruchové napětí, vysoká vstupní impedance, nízká vstupní kapacita a vysoké spínací rychlosti.
Netrpí sekundárními průrazy
Nízké požadavky na budicí výkon
Snadné paralelní zapojení
Nízký CISS a vysoké rychlosti spínání
Výborná teplotní stabilita
Integrovaná source-drain dioda
Vysoká vstupní impedance a vysoký zisk
Nízké požadavky na budicí výkon
Snadné paralelní zapojení
Nízký CISS a vysoké rychlosti spínání
Výborná teplotní stabilita
Integrovaná source-drain dioda
Vysoká vstupní impedance a vysoký zisk
Specifikace
Vlastnost | Hodnota |
|---|---|
| Typ kanálu | P |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 250 mA |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 60 V |
| Typ balení | TO-92 |
| Řada | VP0106 |
| Typ montáže | Průchozí otvor |
| Počet kolíků | 3 |
| Maximální odpor kolektor/zdroj | 8 Ω |
| Režim kanálu | Vylepšení |
| Maximální prahové napětí řídicí elektrody | 3.5V |
| Počet prvků na čip | 1 |