AEC-Q101, řada: STHU36N MOSFET STHU36N60DM6AG Typ N-kanálový 29 A 600 V STMicroelectronics, HU3PAK, počet kolíků: 7

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet 10 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*

783,00 Kč

(bez DPH)

947,40 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 560 jednotka(y) budou odesílané od 25. května 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
10 - 9978,30 Kč
100 - 24977,31 Kč
250 - 49976,57 Kč
500 +75,58 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
234-8898P
Výrobní číslo:
STHU36N60DM6AG
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

29A

Maximální napětí na zdroji Vds

600V

Typ balení

HU3PAK

Řada

STHU36N

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

7

Maximální odpor zdroje Rds

99mΩ

Maximální ztrátový výkon Pd

210W

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

1.6V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

46nC

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Automobilový standard

AEC-Q101

Vysokonapěťový N-kanálový výkonový MOSFET STMicroelectronics je součástí řady diod pro rychlou obnovu MDmesh DM6. Ve srovnání s předchozí generací technologie MDmesh Fast kombinuje model DM6 velmi nízký poplatek za obnovu (Qrr), dobu obnovení (trr) a vynikající zlepšení RDS (ON) na plochu s jedním z nejúčinnějších způsobů přepínání dostupných na trhu pro nejnáročnější topologie mostů s vysokou účinností a převodníky fáze řazení ZVS.

Certifikát podle normy AEC-Q101

Dioda tělesa pro rychlé obnovení

Nižší RDS (ON) na plochu oproti předchozí generaci

Nízké nabití hradla, vstupní kapacita a odpor

100 % testovány ohledně lavinové funkčnosti