řada: CoolMOS MOSFET IPB65R110CFDAATMA1 Typ N-kanálový 31.2 A 650 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 222-4656
- Výrobní číslo:
- IPB65R110CFDAATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
260,34 Kč
(bez DPH)
315,02 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- 1 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 130,17 Kč | 260,34 Kč |
| 10 - 18 | 114,61 Kč | 229,22 Kč |
| 20 - 48 | 108,065 Kč | 216,13 Kč |
| 50 - 98 | 100,16 Kč | 200,32 Kč |
| 100 + | 92,38 Kč | 184,76 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 222-4656
- Výrobní číslo:
- IPB65R110CFDAATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 31.2A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | CoolMOS | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 110mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 31.2A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada CoolMOS | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 110mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon design chladný MOS je revoluční technologie pro vysokonapěťové tranzistory MOSFET, navržené podle principu superjunkce (SJ) a průkopníkem společnosti Infineon Technologies. Řada 600V Cool MOS™ C7 kombinuje zkušenosti předního dodavatele SJ MOSFET s vysoce kvalitními inovacemi. Model 600V C7 je vůbec první technologií s RDS(ON)*A pod 1Ohm*mm².
Mimořádně rychlá dioda těla
Související odkazy
- řada: CoolMOS MOSFET Typ N-kanálový 31.2 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS MOSFET IPB65R190C7ATMA2 Typ N-kanálový 31.2 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS MOSFET Typ N-kanálový 24 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS MOSFET Typ N-kanálový 50 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS MOSFET Typ N-kanálový 31 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS MOSFET IPB65R095C7ATMA2 Typ N-kanálový 24 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS MOSFET IPB60R040C7ATMA1 Typ N-kanálový 50 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
