řada: CoolMOS P7 MOSFET + Dioda IPS80R750P7AKMA1 Typ N-kanálový 7 A 800 V Infineon, TO-251, počet kolíků: 3 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*

264,78 Kč

(bez DPH)

320,38 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 11. prosince 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
10 - 4026,478 Kč264,78 Kč
50 - 9025,145 Kč251,45 Kč
100 - 24024,058 Kč240,58 Kč
250 - 49022,996 Kč229,96 Kč
500 +21,44 Kč214,40 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
220-7441
Výrobní číslo:
IPS80R750P7AKMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET + Dioda

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

7A

Maximální napětí na zdroji Vds

800V

Typ balení

TO-251

Řada

CoolMOS P7

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

750mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

0.9V

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20 V

Maximální ztrátový výkon Pd

51W

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

17nC

Maximální provozní teplota

150°C

Délka

6.7mm

Výška

6.22mm

Normy/schválení

No

Šířka

2.35 mm

Automobilový standard

Ne

Řada superjunction MOSFET Infineon 800V Cool MOS P7 je ideální pro aplikace SMPS s nízkým výkonem díky plnému řešení potřeb trhu v oblasti výkonu, snadného použití a poměru cena/výkon. Zaměřuje se především na aplikace pro zpětné létání, včetně adaptéru a nabíječky, ovladače LED, audio SMPS, AUX a průmyslové napájení. Tato nová produktová řada nabízí až 0.6% zvýšení účinnosti a o 2 °C až 8 °C nižší teplotu MOSFET ve srovnání s jeho předchůdcem a také konkurenční díly testované v typických aplikacích zpětného odlétování. Umožňuje také vyšší hustotu výkonu díky nižším ztrátám při spínání a lepším produktům DPAK R DS(ON). Celkově pomáhá zákazníkům ušetřit náklady na kusovníky a snížit náročnost montáže.

Nejlepší ve své třídě FOM R DS(ON) * E OSS; Snížené QG, C IS a C OSS

Nejlepší ve své třídě DPAK R DS (ON) 280mΩ

Nejlepší ve své třídě v (GS)o 3V a nejmenší v (GS)variace ± 0,5 V.

Integrovaná Zenerova dioda ESD ochrana do třídy 2 (HBM)

Nejlepší kvalita a spolehlivost ve své třídě

Plně optimalizované portfolio

0.1% až 0.6% zvýšení účinnosti a o 2°C až 8°C nižší Teplota MOSFET ve srovnání s chladným MOS™ C3

Umožňuje návrhy s vyšší hustotou výkonu, úsporu kusovníku a nižší náklady na montáž

Snadná jízda a design-in

Lepší produkční výnos díky snížení selhání souvisejících s elektrostatickými výboji

Méně problémů s výrobou a menší návratnost na poli

Snadné výběr správných dílů pro jemné ladění návrhů

Související odkazy