řada: SCTW40N MOSFET Typ N-kanálový 36 A 1200 V STMicroelectronics, Hip-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 219-4228P
- Výrobní číslo:
- SCTW40N120G2V
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 5 jednotky/-ek (dodává se v tubě)*
1 740,10 Kč
(bez DPH)
2 105,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 21. června 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 5 - 9 | 348,02 Kč |
| 10 - 24 | 343,82 Kč |
| 25 + | 339,63 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 219-4228P
- Výrobní číslo:
- SCTW40N120G2V
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 36A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1200V | |
| Řada | SCTW40N | |
| Typ balení | Hip-247 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 700mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 278W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 13nC | |
| Přímé napětí Vf | 3.3V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 20.15mm | |
| Délka | 15.75mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 36A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1200V | ||
Řada SCTW40N | ||
Typ balení Hip-247 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 700mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 278W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 13nC | ||
Přímé napětí Vf 3.3V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 20.15mm | ||
Délka 15.75mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
STMicroelectronics karbid křemíku výkonové MOSFET zařízení bylo vyvinuto pomocí Advanced ST a inovativní 2. Generace SIC MOSFET technologie. Zařízení je vybaveno pozoruhodně nízkým odporem na jednotku a velmi dobrým spínacím výkonem. Změna spínacích ztrát je téměř nezávislá na teplotě spoje.
Velmi vysoká provozní teplota spoje (TJ = 200 °C)
Velmi rychlá a robustní dioda vnitřního tělesa
Extrémně nízké nabití hradla a vstupní kapacita