řada: SCTW40N MOSFET SCTW40N120G2V N-kanálový 36 A 1.2 kV STMicroelectronics, Hip-247, počet kolíků: 3 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Skladové číslo RS:
219-4227
Výrobní číslo:
SCTW40N120G2V
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ kanálu

N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

36A

Maximální napětí na zdroji Vds

1.2kV

Typ balení

Hip-247

Řada

SCTW40N

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

700mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

278W

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

13nC

Maximální napětí zdroje brány Vgs

22V

Přímé napětí Vf

3.3V

Maximální provozní teplota

175°C

Výška

20.15mm

Šířka

5.15mm

Normy/schválení

No

Délka

15.75mm

Automobilový standard

Ne

STMicroelectronics karbid křemíku výkonové MOSFET zařízení bylo vyvinuto pomocí Advanced ST a inovativní 2. Generace SIC MOSFET technologie. Zařízení je vybaveno pozoruhodně nízkým odporem na jednotku a velmi dobrým spínacím výkonem. Změna spínacích ztrát je téměř nezávislá na teplotě spoje.

Velmi vysoká provozní teplota spoje (TJ = 200 °C)

Velmi rychlá a robustní dioda vnitřního tělesa

Extrémně nízké nabití hradla a vstupní kapacita

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.