řada: CoolMOS C7 MOSFET IPP60R040C7XKSA1 Typ N-kanálový 50 A 600 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 jednotka)*

216,37 Kč

(bez DPH)

261,81 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 450 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
1 - 9216,37 Kč
10 - 24198,84 Kč
25 - 49186,24 Kč
50 - 99173,15 Kč
100 +160,06 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
217-2557
Výrobní číslo:
IPP60R040C7XKSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

50A

Maximální napětí na zdroji Vds

600V

Typ balení

TO-220

Řada

CoolMOS C7

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

40mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

0.9V

Maximální ztrátový výkon Pd

227W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

107nC

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

29.95mm

Délka

10.36mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Řada 600V CoolMOS™ C7 Superjunction (SJ) MOSFET nabízí ve srovnání s CoolMOS™ CP přibližně 50% snížení ztrát při vypínání (E OSS) a nabízí vynikající úroveň výkonu v PFC, TTF a dalších topologiích s tvrdým přepínáním. Model IPL60R185C7 je také ideální volbou pro vysoce výkonné nabíječky. Aplikace účinnosti a TCO (celkové náklady na vlastnictví), jako jsou hyperdatová centra a vysoce efektivní telekomunikační usměrňovače (>96 %), těží z vyšší efektivity, kterou nabízí CoolMOS™ C7. Možné je dosáhnout zisky 0,3 % až 0,7 % v topologiích PFC a 0,1 % v topologiích LLC. V případě 2.5kW serverového napájecího zdroje, například při použití 600V CoolMOS™ C7 SJ MOSFET v pouzdru SE 247 4vývody, může dojít ke snížení nákladů na energii o cca 10 % při ztrátě energie PSU.

Snížené parametry ztráty spínání, jako je Q G, C OSS, E OSS

Nejlepší parametry Q G*R DS(on) ve své třídě

Zvýšená frekvence spínání

Nejlepší hodnota R (on)*A na světě

Odolná dioda

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.