řada: OptiMOS 5 80V MOSFET IPB049N08N5ATMA1 Typ N-kanálový 80 A 80 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 215-2496
- Výrobní číslo:
- IPB049N08N5ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
428,55 Kč
(bez DPH)
518,55 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 730 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | 42,855 Kč | 428,55 Kč |
| 20 - 40 | 40,73 Kč | 407,30 Kč |
| 50 - 90 | 39,001 Kč | 390,01 Kč |
| 100 - 240 | 37,297 Kč | 372,97 Kč |
| 250 + | 34,704 Kč | 347,04 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 215-2496
- Výrobní číslo:
- IPB049N08N5ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 80A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 80V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | OptiMOS 5 80V | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 49mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 53nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 125W | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 80A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 80V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada OptiMOS 5 80V | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 49mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 53nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 125W | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Průmyslový výkonový MOSFET Infineon OptiMOS™ 5 80V IPB049N08N5 nabízí ve srovnání s předchozími generacemi redukci RDS (ON) o 43 % a je ideální pro vysoké spínací frekvence. Zařízení této řady jsou speciálně navržena pro synchronní opravu telekomunikačních a serverových napájecích zdrojů. Kromě toho mohou být použity i v jiných průmyslových aplikacích, jako je solární, nízkonapěťové pohony a adaptéry.
Optimalizované pro synchronní usměrnění
Ideální pro vysokou spínací frekvenci
Snížení výstupní kapacity až o 44 %
Snížení RDS (ON) až o 44 %
Související odkazy
- řada: OptiMOS 5 80V MOSFET Typ N-kanálový 80 A 80 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 80 A 80 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET IPB054N08N3GATMA1 Typ N-kanálový 80 A 80 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET Typ N-kanálový 80 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET IPB80N06S2L09ATMA2 Typ N-kanálový 80 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET IPB80N06S2H5ATMA2 Typ N-kanálový 80 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 5 MOSFET Typ N-kanálový 177 A 80 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 80 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení