řada: SCTWA35N65G2V Napájecí modul SiC Typ N-kanálový 45 A 650 V, Hip-247 STMicroelectronics, počet kolíků: 3 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

8 776,89 Kč

(bez DPH)

10 620,03 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Poslední zásoby RS
  • Posledních 60 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks
za jednotku
za tubu*
30 +292,563 Kč8 776,89 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
204-3957
Výrobní číslo:
SCTWA35N65G2V
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

Napájecí modul SiC

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

45A

Maximální napětí na zdroji Vds

650V

Řada

SCTWA35N65G2V

Typ balení

Hip-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

0.072Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

3.3V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

240W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20 V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

73nC

Maximální provozní teplota

200°C

Délka

15.9mm

Výška

41.2mm

Šířka

5.1 mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN
Výkonový tranzistor MOSFET STMicroelectronics z karbidu křemíku byl vyvinut pomocí technologie Advanced společnosti ST a inovativní technologie MOSFET druhé generace SIC. Zařízení má pozoruhodně nízký odpor na jednotku a velmi dobrý spínací výkon. Změna jak spínacích, tak spínacích ztrát je téměř nezávislá na propojovací teplotě.

Nízká kapacita

Velmi rychlá a robustní dioda vnitřního tělesa

Velmi těsná variace odporu proti teplota

Související odkazy