řada: SiC MOSFET MOSFET STF16N90K5 Typ N-kanálový 15 A 900 V STMicroelectronics, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 201-4468
- Výrobní číslo:
- STF16N90K5
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
258,36 Kč
(bez DPH)
312,62 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 21. prosince 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 129,18 Kč | 258,36 Kč |
| 20 - 98 | 125,97 Kč | 251,94 Kč |
| 100 - 198 | 123,005 Kč | 246,01 Kč |
| 200 + | 115,10 Kč | 230,20 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 201-4468
- Výrobní číslo:
- STF16N90K5
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 15A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 900V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | SiC MOSFET | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 330mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 29.7nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 30W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 10.4mm | |
| Výška | 16mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 15A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 900V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada SiC MOSFET | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 330mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 29.7nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 30W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 10.4mm | ||
Výška 16mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
STMicroelectronics N-channel 900 v, 280 MO typ., 15 A MDmesh K5 Power MOSFET v pouzdru TO-220FP je založena na inovativní vlastní vertikální struktuře.
Mimořádně nízké nabití hradítka
100 % testovány ohledně lavinové funkčnosti
Ochrana Zenerovou diodou
Související odkazy
- řada: SiC MOSFET MOSFET Typ N-kanálový 15 A 900 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh TO-220, počet kolíků: 3
- řada: MDmesh TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení