řada: TrenchFET Gen IV MOSFET SIR150DP-T1-RE3 N-kanálový 110 A 45 V Vishay, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 200-6845
- Výrobní číslo:
- SIR150DP-T1-RE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 50 kusech)*
1 204,35 Kč
(bez DPH)
1 457,25 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 04. října 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 24,087 Kč | 1 204,35 Kč |
| 100 - 200 | 19,034 Kč | 951,70 Kč |
| 250 - 450 | 16,87 Kč | 843,50 Kč |
| 500 - 1200 | 15,66 Kč | 783,00 Kč |
| 1250 + | 13,012 Kč | 650,60 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 200-6845
- Výrobní číslo:
- SIR150DP-T1-RE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 110A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 45V | |
| Řada | TrenchFET Gen IV | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3.97mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 70nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 65.7W | |
| Přímé napětí Vf | 1.1V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 5.15mm | |
| Šířka | 5.15mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 6.15mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 110A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 45V | ||
Řada TrenchFET Gen IV | ||
Typ balení SO-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3.97mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 70nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 65.7W | ||
Přímé napětí Vf 1.1V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 5.15mm | ||
Šířka 5.15mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 6.15mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Vishay SIR150DP-T1-RE3 je N-kanál 45V (D-s) MOSFET.
Výkonový tranzistor MOSFET TrenchFET® Gen IV
Napětí pro přerušení zdroje vypouštění 45 V.
Vyladěno pro nízké QG a Qoss
100 % testováno podle Rg a UIS
Související odkazy
- řada: TrenchFET Gen IV MOSFET SIR150DP-T1-RE3 Typ N-kanálový 110 A 45 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET Gen IV MOSFET SiR104ADP-T1-RE3 Typ N-kanálový 81 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET Gen IV MOSFET SiR106ADP-T1-RE3 Typ N-kanálový 65.8 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET Gen IV MOSFET SIDR638DP-T1-RE3 Typ N-kanálový 100 A 40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET Gen IV MOSFET Typ N-kanálový 100 A 40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET Gen IV MOSFET Typ N-kanálový 65.8 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET Gen IV MOSFET Typ N-kanálový 81 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET Gen IV MOSFET Typ P-kanálový 18.3 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení