řada: STB11NM80 Napájecí MDmesh MOSFET STB11NM80T4 Typ N-kanálový 11 A 800 V STMicroelectronics, TO-263, počet kolíků: 3

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

342,59 Kč

(bez DPH)

414,534 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 01. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
2 - 8171,295 Kč342,59 Kč
10 - 18162,775 Kč325,55 Kč
20 - 48146,47 Kč292,94 Kč
50 - 98131,90 Kč263,80 Kč
100 +125,23 Kč250,46 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
188-8461
Výrobní číslo:
STB11NM80T4
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

Napájecí MDmesh MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

11A

Maximální napětí na zdroji Vds

800V

Řada

STB11NM80

Typ balení

TO-263

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

0.4Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

43.6nC

Minimální provozní teplota

-65°C

Maximální ztrátový výkon Pd

150W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

±30 V

Přímé napětí Vf

0.86V

Maximální provozní teplota

150°C

Šířka

9.35 mm

Výška

4.37mm

Délka

10.4mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Tyto N-kanálové výkonové tranzistory MOSFET jsou vyvinuty pomocí revoluční technologie MDmesh™ společnosti STMicroelectronics, která spojuje proces vícenásobného vypouštění s horizontálním rozvržením PowerMESH™ společnosti. Tato zařízení nabízejí extrémně nízkou odolnost, vysoký dv/dt a vynikající lavinové charakteristiky. Tyto výkonové tranzistory MOSFET s využitím patentované techniky stripu ST se mohou pochlubit celkovým dynamickým výkonem, který je lepší než podobné výrobky na trhu.

Nízká kapacita vstupu a nabíjení brány

Nízký vstupní odpor zadní výklopné stěny

Nejlepší RDS(on)QG v oboru

Aplikace

Přepínání aplikací

Související odkazy