AEC-Q101, řada: DMP MOSFET DMP2021UTS-13 Typ P-kanálový 7.4 A 20 V DiodesZetex, TSSOP, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 182-7357
- Výrobní číslo:
- DMP2021UTS-13
- Výrobce:
- DiodesZetex
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
135,36 Kč
(bez DPH)
163,79 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 29. března 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 13,536 Kč | 135,36 Kč |
| 100 - 490 | 10,819 Kč | 108,19 Kč |
| 500 - 990 | 9,88 Kč | 98,80 Kč |
| 1000 - 1990 | 8,349 Kč | 83,49 Kč |
| 2000 + | 7,731 Kč | 77,31 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 182-7357
- Výrobní číslo:
- DMP2021UTS-13
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 7.4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Řada | DMP | |
| Typ balení | TSSOP | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 40mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 10 V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 59nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.3W | |
| Přímé napětí Vf | -1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 4.5mm | |
| Výška | 1.02mm | |
| Šířka | 3.1 mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 7.4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Řada DMP | ||
Typ balení TSSOP | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 40mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 10 V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 59nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.3W | ||
Přímé napětí Vf -1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 4.5mm | ||
Výška 1.02mm | ||
Šířka 3.1 mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Tento MOSFET je navržen tak, aby minimalizoval odpor na stavu (RDS(ON)), a přitom udržoval vynikající přepínací výkon, a proto je ideální pro aplikace s vysokou účinností řízení spotřeby.
Nízké prahové napětí zadní výklopné stěny
Nízký odpor při zapnutí
Chráněné hradlo ESD
Aplikace
Aplikace pro správu akumulátorů
Funkce řízení výkonu
Měniče DC/DC
Související odkazy
- AEC-Q101 TSSOP, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 4 kolíkový
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 DI5060, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 4 kolíkový
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
