MOSFET Typ N-kanálový 5.5 A 400 V Vishay 1 Jednoduchý
- Skladové číslo RS:
- 180-8631
- Výrobní číslo:
- IRF730ASPBF
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
226,45 Kč
(bez DPH)
274,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 100 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 45,29 Kč | 226,45 Kč |
| 50 - 120 | 41,654 Kč | 208,27 Kč |
| 125 - 245 | 38,494 Kč | 192,47 Kč |
| 250 - 495 | 36,24 Kč | 181,20 Kč |
| 500 + | 33,948 Kč | 169,74 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 180-8631
- Výrobní číslo:
- IRF730ASPBF
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 5.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 400V | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1Ω | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 74W | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | ±30 V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 22nC | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Šířka | 10.67 mm | |
| Výška | 4.83mm | |
| Délka | 9.65mm | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 5.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 400V | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1Ω | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 74W | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs ±30 V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 22nC | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Šířka 10.67 mm | ||
Výška 4.83mm | ||
Délka 9.65mm | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
MOSFET Vishay
Vishay MOSFET je N-kanál, TO-263-3 balení je nový věkový produkt s odvodem-zdroj napětí 400V a maximální hradlo-zdroj napětí 30V. Má odpor zdroje vypouštění 10mohm na napětí hradla-zdroje 10V. MOSFET má maximální rozptyl výkonu 74W. Tento produkt byl optimalizován pro nižší ztráty při spínání a vedení. MOSFET nabízí vynikající účinnost spolu s dlouhou a produktivní životností, aniž by došlo ke snížení výkonu nebo funkčnosti.
Charakteristiky a výhody
• plně charakterizovaná kapacita a lavinové napětí a proud
• Halogenová a olověná (Pb) volná složka
• vylepšené brány, laviny a dynamické DV/dt
• nízké nabíjení hradla QG má za následek jednoduchý požadavek na pohon
• provozní teplota se pohybuje mezi -55°C a 150°C.
• TrenchFET napájení MOSFET
Aplikace
• vysokorychlostní přepínání napájení
• spícího režimu napájení (SMPS)
• nepřerušitelné zdroje napájení
Související odkazy
- MOSFET IRF730ASPBF Typ N-kanálový 5.5 A 400 V Vishay 1 Jednoduchý
- Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 10 A 400 V Vishay Jednoduchý
- Výkonový MOSFET IRF740ALPBF Typ N-kanálový 10 A 400 V Vishay Jednoduchý
- MOSFET Typ P-kanálový 1.8 A 400 V Vishay 1 Jednoduchý
- MOSFET IRFR9310PBF Typ P-kanálový 1.8 A 400 V Vishay 1 Jednoduchý
- Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 11 A 500 V, TO-263 Vishay Jednoduchý
- Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 10 A 60 V Vishay 1 Jednoduchý
- Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 6.8 A 600 V, TO-247AC Vishay Jednoduchý