řada: EF Výkonový MOSFET SIHP21N60EF-GE3 Typ N-kanálový 21 A 600 V, JEDEC TO-220AB, počet kolíků: 3 kolíkový Vishay 1

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

109,92 Kč

(bez DPH)

133,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 13. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
2 - 1854,96 Kč109,92 Kč
20 - 4849,645 Kč99,29 Kč
50 - 9846,685 Kč93,37 Kč
100 - 19843,965 Kč87,93 Kč
200 +42,855 Kč85,71 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
180-7768
Výrobní číslo:
SIHP21N60EF-GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ produktu

Výkonový MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

21A

Maximální napětí na zdroji Vds

600V

Typ balení

JEDEC TO-220AB

Řada

EF

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

0.176Ω

Maximální napětí zdroje brány Vgs

±30 V

Přímé napětí Vf

1.2V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

84nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

227W

Maximální provozní teplota

150°C

Konfigurace tranzistoru

Jednoduchý

Šířka

10.52 mm

Normy/schválení

No

Výška

6.71mm

Délka

14.4mm

Počet prvků na čip

1

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN
Vishay SIHP21N60EF je výkonový MOSFET řady N-channel EF s rychlou tělní diodou s odvodem na zdrojové napětí (VdS) 600 v a hradlem na zdrojové napětí (VGS) 30 V. Musí TO být balíček TO-220AB. Nabízí odtok do zdrojového odporu (RDS.) 0,176ohmy při 10VGS. Maximální proud vypouštění 21A.

Rychlá dioda MOSFET využívající technologii řady E.

Snížené trr, Qrr a IRRM

Nízká hodnota zásluh (FOM): Ron x QG

Související odkazy