řada: EF Výkonový MOSFET SIHP21N60EF-GE3 Typ N-kanálový 21 A 600 V, JEDEC TO-220AB, počet kolíků: 3 kolíkový Vishay 1
- Skladové číslo RS:
- 180-7768
- Výrobní číslo:
- SIHP21N60EF-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
246,51 Kč
(bez DPH)
298,278 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 03. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 123,255 Kč | 246,51 Kč |
| 20 - 48 | 111,275 Kč | 222,55 Kč |
| 50 - 98 | 104,605 Kč | 209,21 Kč |
| 100 - 198 | 98,675 Kč | 197,35 Kč |
| 200 + | 96,085 Kč | 192,17 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 180-7768
- Výrobní číslo:
- SIHP21N60EF-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 21A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | JEDEC TO-220AB | |
| Řada | EF | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.176Ω | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 227W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | ±30 V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 84nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 10.52 mm | |
| Výška | 6.71mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 14.4mm | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 21A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení JEDEC TO-220AB | ||
Řada EF | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.176Ω | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 227W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs ±30 V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 84nC | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 10.52 mm | ||
Výška 6.71mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 14.4mm | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Vishay SIHP21N60EF je výkonový MOSFET řady N-channel EF s rychlou tělní diodou s odvodem na zdrojové napětí (VdS) 600 v a hradlem na zdrojové napětí (VGS) 30 V. Musí TO být balíček TO-220AB. Nabízí odtok do zdrojového odporu (RDS.) 0,176ohmy při 10VGS. Maximální proud vypouštění 21A.
Rychlá dioda MOSFET využívající technologii řady E.
Snížené trr, Qrr a IRRM
Nízká hodnota zásluh (FOM): Ron x QG
Související odkazy
- řada: EF Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 21 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Vishay 1 Jednoduchý
- řada: SIHP MOSFET SIHP155N60EF-GE3 Typ N-kanálový 21 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: EF Jednoduché tranzistory MOSFET SIHP11N80AEF-GE3 Typ N-kanálový 8 A 800 V Vishay počet kolíků: 3
- řada: EF Jednoduché tranzistory MOSFET Typ N-kanálový 8 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: ThunderFET MOSFET SUP70040E-GE3 Typ N-kanálový 120 A 100 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: SIH MOSFET SIHP24N80AEF-GE3 Typ N-kanálový 20 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: SF Series MOSFET SIHP110N65SF-GE3 N kanál-kanálový 33 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: SIHP MOSFET SIHP085N60EF-GE3 Typ N-kanálový 34 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení