řada: TrenchFET MOSFET SiDR392DP-T1-GE3 N-kanálový 100 A 30 V Vishay Siliconix, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet 50 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*

3 218,40 Kč

(bez DPH)

3 894,25 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 2 820 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
50 - 9564,368 Kč
100 - 49561,01 Kč
500 - 99557,304 Kč
1000 +50,142 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
178-3934P
Výrobní číslo:
SiDR392DP-T1-GE3
Výrobce:
Vishay Siliconix
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay Siliconix

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

100A

Maximální napětí na zdroji Vds

30V

Typ balení

SO-8

Řada

TrenchFET

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

900μΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

125W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

125nC

Maximální napětí zdroje brány Vgs

6V

Přímé napětí Vf

1.1V

Maximální provozní teplota

150°C

Délka

5.99mm

Normy/schválení

No

Šířka

5mm

Výška

1.07mm

Automobilový standard

Ne

Výjimka

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer

Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.