MOSFET NCP81075DR2G N-kanálový 4 A, SOIC, počet kolíků: 8 dvojitý

Model NCP81075 je integrovaný obvod vysoce výkonného dvojitého budiče hradla MOSFET (high side a low side), navržený pro vysokonapěťové vysokorychlostní buzení tranzistorů MOSFET pracujících při napětí až 180 V. Model NCP81075 integruje budicí integrovaný obvod a IC a bootstrapovou diodu a nabízí budicí proud až 4 A. Budiče high side a low side jsou nezávisle řízeny odpovídající typickou prodlevou šíření 3,5 ns. Tento budič je ideálně přizpůsoben ve vysokonapěťových snižujících aplikacích, izolovaných napájecích zdrojích a jednočinných propustných měničích se 2 spínači a aktivní svorkou. zařízení lze používat také v aplikacích se solárními optimalizátory a solárními invertory. Díl je nabízen v pouzdrech SO8, DFN s 8 kolíky a DFN s 10 kolíky a úplnou specifikací v rozsahu -40 C až 140 C.

Buzení dvou High-Side a Low-Side N-kanálových tranzistorů MOSFET
Vestavěná bootstrapová dioda pro budič hradla High-Side
Rozsah bootstrapového napětí až 180 V
Proudové vlastnosti: zdroj 4 A, výstupní zkratový proud 4 A
Budí zátěž 1 nF s typickými dobami náběhu/doběhu 8 ns/7 ns
Široký rozsah napájecího napětí 8,5 V až 20 V
Krátká prodleva šíření (typ. 20 ns)
Párování prodlevy 2 ns (typické)
Ochrana blokováním při podpětí (UVLO) pro budicí napětí
Rozsah provozních teplot spoje -40 °C až +140 °C
Aplikace
Snižující měnič
izolované napájecí zdroje
Audiozesilovač třídy D
Jednočinné propustné měniče se dvěma spínači a aktivní svorkou
Solární optimalizátor