MOSFET SI3499DV-T1-GE3 P-kanálový 3,9 A 8 V, TSOP-6, počet kolíků: 6 Jednoduchý Si

Cena Kus (na civce po 3000)

10,52 Kč

(bez DPH)

12,72 Kč

(s DPH)

Dočasně není skladem, produkt bude expedován dne 2. 2. 2025. Dodání do 4 pracovních dnů. Doručení může trvat déle z důvodu celního odbavení.*

*Dodací lhůty se mohou měnit v závislosti na množství a dodací adrese.

Standardní dodávka

Ks	za jednotku	za cívku**
3000 +	10,52 Kč	31 548,00 Kč

**orientační cena

Vlastnost	Hodnota
Typ kanálu	P
Maximální stejnosměrný odběrový proud	3,9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj	8 V
Typ balení	TSOP-6
Typ montáže	Povrchová montáž
Počet kolíků	6
Maximální odpor kolektor/zdroj	48 mΩ
Režim kanálu	Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody	0.35V
Maximální ztrátový výkon	1,1 W
Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-5 V, +5 V
Materiál tranzistoru	Si
Délka	3.1mm
Počet prvků na čip	1
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	28 nC při 4,5 V
Šířka	1.7mm
Maximální pracovní teplota	+150 °C
Minimální provozní teplota	-55 °C
Výška	1mm