MOSFET MDP11N60TH N-kanálový 11 A 660 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Produkt již není v nabídce

Technické reference

Vysokonapěťový MOSFET s N-kanálem, s nízkým odporem ve stavu a vysokým spínacím výkonem.

Tranzistory MOSFET, MagnaChip

Vlastnost	Hodnota
Typ kanálu	N
Maximální stejnosměrný odběrový proud	11 A
Maximální napětí kolektor/zdroj	660 V
Typ balení	TO-220
Typ montáže	Průchozí otvor
Počet kolíků	3
Maximální odpor kolektor/zdroj	550 mΩ
Režim kanálu	Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody	5V
Maximální ztrátový výkon	182 W
Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-30 V, +30 V
Materiál tranzistoru	Si
Počet prvků na čip	1
Šířka	4.83mm
Maximální pracovní teplota	+150 °C
Délka	10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	38,4 nC při 10 V
Minimální provozní teplota	-55 °C
Propustné napětí diody	1.4V
Výška	16.51mm