řada: DeepGate, STripFET MOSFET Typ N-kanálový 110 A 100 V STMicroelectronics, H2PAK, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 1000 kusech)*

48 941,00 Kč

(bez DPH)

59 219,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 23. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
1000 +48,941 Kč48 941,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
168-8819
Výrobní číslo:
STH150N10F7-2
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

110A

Maximální napětí na zdroji Vds

100V

Typ balení

H2PAK

Řada

DeepGate, STripFET

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

3.9mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

117nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20 V

Maximální ztrátový výkon Pd

250W

Přímé napětí Vf

1.2V

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

No

Výška

4.8mm

Šířka

10.57 mm

Délka

10.4mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN

N-Channel STAFET™ DeepGate™, STMicroelectronics


Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.

Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics


Související odkazy