řada: HEXFETMOSFET IRF8010STRLPBF N-kanálový 80 A 100 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3

Skladové číslo RS:: 168-5978
Výrobní číslo:: IRF8010STRLPBF
Výrobce:: Infineon

řada: HEXFETMOSFET IRF8010STRLPBF N-kanálový 80 A 100 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3

675 k dispozici s dodáním do 1 pracovních dnů. Doručení může trvat déle z důvodu celního odbavení.

Standardní dodávka

Cena Kus (na civce po 800)

25,13 Kč

(bez DPH)

30,41 Kč

(s DPH)

Ks	za jednotku	za cívku*
800 +	25,13 Kč	20 102,40 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 168-5978
Výrobní číslo:: IRF8010STRLPBF
Výrobce:: Infineon

IRF8010SPbF, IRF8010LPbF, HEXFET Power MOSFET 100V
ESD Control Selection Guide V1

Vlastnost	Hodnota
Typ kanálu	N
Maximální stejnosměrný odběrový proud	80 A
Maximální napětí kolektor/zdroj	100 V
Řada	HEXFET
Typ balení	D2PAK (TO-263)
Typ montáže	Povrchová montáž
Počet kolíků	3
Maximální odpor kolektor/zdroj	15 mΩ
Režim kanálu	Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody	4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody	2V
Maximální ztrátový výkon	260 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-20 V, +20 V
Šířka	9.65mm
Maximální pracovní teplota	+175 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	81 nC při 10 V
Počet prvků na čip	1
Délka	10.67mm
Propustné napětí diody	1.3V
Výška	4.83mm
Minimální provozní teplota	-55 °C

řada: HEXFETMOSFET IRF8010STRLPBF N-kanálový 80 A 100 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3

N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon